Samsung Electronics сообщила о создании новых модулей DRAM

Компания Samsung Electronics впервые в мире разработала оперативную память следующего поколения для мобильных систем искусственного интеллекта. Как сообщили в компании, речь идёт о 16-гигабитных модулях оперативной памяти LPDDR4X DRAM с использованием 10-нанометрового технологического процесса.

По скорости данная память в два раза превосходит модули оперативной памяти LPDDR3 DRAM с использованием 20-нанометрового технологического процесса. Новые модули позволяют передавать данные объёмом 34,1 Гигабайт в секунду. Энергопотребление у новинки сократили на 10%. Таким образом, характеристики смартфонов повысятся, а время использования на одной зарядке увеличится.

KBS

© 2018, ОКНО В КОРЕЮ. Все права защищены. При полном или частичном использовании редакционных материалов, активная, индексируемая гиперссылка на www.k-window.com обязательна!

Facebook Comments

Поделиться в соц. сетях

Опубликовать в Google Buzz
Опубликовать в Google Plus
Опубликовать в LiveJournal
Опубликовать в Мой Мир
Опубликовать в Одноклассники


Игорь Дедер Написал Июль 26, 2018. Категория: Breaking News,High-Tech. You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0. You can leave a response or trackback to this entry