Samsung Electronics сообщила о создании новых модулей DRAM

Компания Samsung Electronics впервые в мире разработала оперативную память следующего поколения для мобильных систем искусственного интеллекта. Она оптимизирована для сетей 5G.

Как сообщили 17 июля в компании, речь идёт о 8-гигабитных модулях оперативной памяти LPDDR5 DRAM с использованием 10-нанометрового технологического процесса. Данная память предлагает скорость до 6.400 Мегибит/сек. Это в полтора раза выше, чем у используемых сегодня модулей оперативной памяти. Новые модули позволяют передавать данные объёмом 51,2 Гигабайт в секунду, что равняется 14 фильмам в высоком разрешении по 3,7 Гигабайт. Имеется и версия с доступной скоростью 5.500 Мегабит/сек. Энергопотребление у новинки сократили на 30%. Таким образом, характеристики смартфонов повысятся, а время использования на одной зарядке увеличится.

© 2018, ОКНО В КОРЕЮ. Все права защищены. При полном или частичном использовании редакционных материалов, активная, индексируемая гиперссылка на www.k-window.com обязательна!

Facebook Comments

Поделиться в соц. сетях

Опубликовать в Google Buzz
Опубликовать в Google Plus
Опубликовать в LiveJournal
Опубликовать в Мой Мир
Опубликовать в Одноклассники


Игорь Дедер Написал Июль 18, 2018. Категория: Breaking News,High-Tech. You can follow any responses to this entry through the RSS 2.0. You can leave a response or trackback to this entry